[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910007920.5 | 申请日： | 2009-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101521230A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 理崎智光;北岛裕一郎 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 柯广华;王丹昕 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的名称为半导体器件及其制造方法，在阱区中，不平整结构在栅极宽度方向上形成，并且栅电极在凹陷部分中以及在凸出部分的顶面上借助绝缘膜形成。上源区和下源区在栅电极在栅极长度方向上的一侧形成，并且上漏区和下漏区在其另一侧形成。通过以这种方式在源区和漏区中形成下源区和下漏区，当栅极长度变得更短时，可抑制沟道区的上部中产生的电流集中，并且可允许电流在整个沟道区中均匀流动，因此，由于阱区中形成的不平整结构而使有效栅极宽度更宽。相应地，降低了半导体器件的导通电阻，以便增强驱动性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体器件，包括：半导体衬底；第一导电类型阱区，在所述半导体衬底上形成并且具有沿栅极宽度方向在其中形成的不平整结构；栅电极，借助绝缘膜在所述不平整结构中形成；第二导电类型上源区，在所述栅电极的一侧沿不平整结构的长度方向、在所述第一导电类型阱区的上部附近形成；第二导电类型下源区，在所述第二导电类型上源区的下侧上形成、制作得比所述第一导电类型阱区更浅；第二导电类型上漏区，在所述栅电极的另一侧沿不平整结构的长度方向、在所述第一导电类型阱区的上部附近形成；以及第二导电类型下漏区，在所述第二导电类型上漏区的下侧形成，以便制作成比所述第一导电类型阱区更浅。
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