[发明专利]半导体芯片的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体芯片的制造方法，其能高效率且不产生加工屑地分割在背面形成有金属膜的半导体晶片。关于将半导体晶片分割成一个个半导体芯片的半导体芯片制造方法，其特征在于，包括：变质层形成工序，从半导体晶片背面侧将聚光点对准半导体晶片内部，沿间隔道照射相对于半导体晶片具有透射性的波长的激光束，从而在半导体晶片内部形成沿着间隔道的变质层；金属膜成膜工序，在实施变质层形成工序后，在半导体晶片背面形成金属膜；半导体晶片粘贴工序，在安装于环状框架的粘贴带上粘贴半导体晶片；和半导体晶片分割工序，在半导体晶片粘贴在粘贴带上的状态下对半导体晶片作用外力，从而沿变质层将半导体晶片与金属膜一起分割成一个个芯片。

主权项

1.一种半导体芯片的制造方法，其是将半导体晶片分割成一个个半导体芯片的方法，上述半导体晶片在表面上呈格子状地形成有多条间隔道，并且上述半导体晶片具有器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，上述器件区域是在通过上述多条间隔道划分出的多个区域中分别形成有器件的区域，其特征在于，上述半导体芯片的制造方法包括以下工序：变质层形成工序，从上述半导体晶片的背面侧将聚光点对准上述半导体晶片内部，沿着上述间隔道照射相对于上述半导体晶片具有透射性的波长的激光束，从而在上述半导体晶片的内部形成沿着上述间隔道的变质层；金属膜成膜工序，在实施了上述变质层形成工序后，在上述半导体晶片的背面形成金属膜；半导体晶片粘贴工序，在安装于环状框架的粘贴带上粘贴上述半导体晶片；和半导体晶片分割工序，在上述半导体晶片粘贴于上述粘贴带的状态下对上述半导体晶片作用外力，从而沿着上述变质层将上述半导体晶片与上述金属膜一起分割成一个个芯片。