[发明专利]多重晶体管元件及其操作与制造方法有效
| 申请号： | 200910008312.6 | 申请日： | 2009-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN101604694A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 王士玮;林春荣 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/423;H01L21/8247;H01L21/28 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多重晶体管元件及其操作与制造方法，该多重晶体管元件包括：一基板；一第一浮置栅堆叠物，位于该基板的上；一第二浮置栅堆叠物，位于该基板的上并耦接该第一浮置栅堆叠物；以及一第一有源区，位于该基板之内并耦接该第一浮置栅堆叠物与该第二浮置栅堆叠物。本发明通过未处于编程操作的另一多重晶体管元件进行读取操作可进一步地消除或减少起因于多重晶体管元件经热电子编程后所产生的电荷牵绊所造成的如临界电压(Vt)劣化的可靠度的劣化改变。 | ||
| 搜索关键词： | 多重 晶体管 元件 及其 操作 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多重晶体管元件，包括：一基板；一第一浮置栅堆叠物，位于该基板的上；一第二浮置栅堆叠物，位于该基板的上并耦接该第一浮置栅堆叠物；以及一第一有源区，位于该基板之内并耦接该第一浮置栅堆叠物与该第二浮置栅堆叠物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
