[发明专利]沟槽型功率MOS晶体管及利用其的集成电路

摘要

本发明涉及沟槽型功率MOS晶体管及利用其的集成电路。本发明的功率MOS晶体管包括漏极区、沟槽栅极、源极区、阱区、深阱区和衬底区。所述漏极区具有连接到漏极电极的具有第一导电性类型的掺杂区。所述沟槽栅极具有绝缘层，并且延伸到所述漏极区中。所述源极区具有连接到源极电极的具有所述第一导电性类型的掺杂区。所述阱区用第二导电性类型掺杂，形成在所述源极区下方，并且连接到所述源极电极。所述深阱区用所述第一导电性类型掺杂，并且形成在所述漏极区和所述阱区下方。所述衬底区用所述第二导电性类型掺杂，并且形成在所述深阱区下方。所述漏极区形成在所述沟槽栅极的一侧，且所述源极区形成在所述沟槽栅极的相对侧，使得所述沟槽栅极横向地连接所述源极区与所述漏极区。

主权项

1.一种功率MOS晶体管，其特征在于包括：漏极区，其具有连接到漏极电极的具有第一导电性类型的掺杂区；沟槽栅极，其延伸到所述漏极区中，其中所述沟槽栅极包含绝缘层和多晶硅栅极；源极区，其具有连接到源极电极的具有所述第一导电性类型的掺杂区；阱区，其具有第二导电性类型，形成在所述源极区下方且连接到所述源极电极；深阱区，其具有所述第一导电性类型且形成在所述漏极区和所述阱区下方；以及衬底区，其具有所述第二导电性类型且形成在所述深阱区下方；其中所述漏极电极和源极电极形成在所述功率MOS晶体管的顶表面上。