[发明专利]一种用废塑料低温制备立方碳化硅超细粉的方法

摘要

本发明涉及一种用废塑料低温制备立方碳化硅超细粉的方法，利用废塑料作为碳源与硅粉来合成碳化硅，金属钠、金属镁粉为还原剂，硫粉为辅助剂，在高压釜中于350～500℃、0.5～10MPa条件下反应10～30小时；在经洗涤、提纯得产品。本发明在相对较低温度下廉价和大规模制备结晶程度良好的3C-SiC超细粉，扩大碳化硅陶瓷及其相关复合材料的应用，特别是以废塑料作为碳源，有利于节能降耗和降低原料成本，并且可实现废弃物资源化和环境污染控制。

主权项

1、一种低温制备立方碳化硅超细粉的方法，步骤如下：(1)将原料硅粉、废塑料(按单质碳计)与金属钠、金属镁粉和升华硫按摩尔比(0.1-3)∶1∶(0.5-8)∶(0.2-3.2)∶(0.1-3)混合，密封在不锈钢高压釜中，将该高压釜放置在电阻炉中，于350～500℃、0.5～10MPa条件下反应10～30小时；(2)步骤(1)所得产物经醇洗、水洗和常规离心分离、干燥，即获得含有微量硅粉和无定形碳的立方碳化硅粗品，(3)步骤(2)所得产品经70％wt高氯酸回流或在空气中于600℃下灼烧3小时，除去无定形碳，然后经酸洗除去单质硅，即得。