[发明专利]随机存储器的存储读取方法无效
| 申请号： | 200910026432.9 | 申请日： | 2009-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN101872642A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 郭术明 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/00 | 分类号： | G11C7/00;G11C11/40;G06F12/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214061 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种随机存储器的存储读取方法，该随机存储器包括第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管，第一晶体管的栅极与写字线连接，第一晶体管的漏极与写位线连接，第一晶体管的源极与第二晶体管的栅极连接，第二晶体管的漏极接地，第二晶体管的源极与第三晶体管的漏极连接、第三晶体管的栅极与读字线连接，第三晶体管的源极与读位线连接。写位线的电位输入不同电压时写入不同的存储值，与第一晶体管源极连接的第二晶体管栅极电压不同则由第二晶体管与第三晶体管组成的放电电路电流不同，则读位线的电位不同，设置不同的参考电压，比较读位线与参考电压的大小以读取不同的存储值。 | ||
| 搜索关键词： | 随机 存储器 存储 读取 方法 | ||
【主权项】：
一种随机存储器的存储读取方法，该随机存储器包括第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管，第一晶体管的栅极与写字线连接，第一晶体管的漏极与写位线连接，第一晶体管的源极与第二晶体管的栅极连接，第二晶体管的漏极接地，第二晶体管的源极与第三晶体管的漏极连接、第三晶体管的栅极与读字线连接，第三晶体管的源极与读位线连接，其特征在于：写位线的电位输入不同电压时写入不同的存储值，第一晶体管源极输出不同的电压至第二晶体管的栅极，调节第二晶体管栅极的电压，使第二晶体管与第三晶体管组成的放电电路产生不同的电流，使读位线产生不同电位，设置不同的参考电压，比较读位线与参考电压的大小以读取不同的存储值。
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