[发明专利]PLC光纤分路器的封装方法无效

专利信息
申请号: 200910031922.8 申请日: 2009-07-03
公开(公告)号: CN101604054A 公开(公告)日: 2009-12-16
发明(设计)人: 林冠宏;汪正全;杨志利 申请(专利权)人: 今皓光电(昆山)有限公司
主分类号: G02B6/30 分类号: G02B6/30
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 代理人: 董建林;许婉静
地址: 215321江苏省昆山*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种PLC光纤分路器的封装方法,其特征在于:包括以下步骤1)采用火焰水解法或者化学气相淀积工艺,在硅片上生长一层SiO2,其中掺杂磷、硼离子,作为波导下包层;2)采用FHD或者CVD工艺,在下包层上再生长一层SiO2;3)退火硬化;4)进行光刻;5)将非波导区域刻蚀掉;6)去掉光刻胶,在波导芯层上再覆盖一层SiO2,其中掺杂磷、硼离子,作为波导上包层;7)退火硬化,使上包层SiO2变得致密均匀;8)将平面波导分路器上的各个导光通路与光纤阵列中的光纤一一对准,然后用胶将其粘合在一起。本发明通过光刻的方法实现PLC分路器封装,操作过程简单,且得到的PLC分路器结构稳定,质量可靠。
搜索关键词: plc 光纤 分路 封装 方法
【主权项】:
1.一种PLC光纤分路器的封装方法,其特征在于:包括以下步骤1)采用火焰水解法或者化学气相淀积工艺,在硅片上生长一层SiO2,其中掺杂磷、硼离子,作为波导下包层;2)采用FHD或者CVD工艺,在下包层上再生长一层SiO2,作为波导芯层,其中掺杂锗离子,获得需要的折射率差;3)通过退火硬化工艺,使前面生长的两层SiO2变得致密均匀;4)进行光刻,将需要的波导图形用光刻胶保护起来;5)采用反应离子刻蚀工艺,将非波导区域刻蚀掉;6)去掉光刻胶,采用FHD或者CVD工艺,在波导芯层上再覆盖一层SiO2,其中掺杂磷、硼离子,作为波导上包层;7)通过退火硬化工艺,使上包层SiO2变得致密均匀;8)将平面波导分路器上的各个导光通路与光纤阵列中的光纤一一对准,然后用胶将其粘合在一起。
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