[发明专利]存储器无效
| 申请号： | 200910044889.2 | 申请日： | 2009-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN101465381A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 孔蔚然 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/49;H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储器，包括：半导体基底，在半导体基底其内设有掺杂形成的源区和漏区以及在所述源区和漏区之间的沟道区，位于半导体基底上的第一绝缘层，位于所述第一绝缘层上，且由多晶硅制成的电荷存储层，所述电荷存储层内设有Si1-xGex导电层。与现有存储器相比，本发明提供的存储器通过在电荷存储层内设有Si1-xGex导电层，使得存储在电荷存储层的电荷集聚在Si1-xGex导电层的表面上，与衬底的之间的距离大大增大，相对的增大了隔离电荷的绝缘层厚度，降低了电荷泄漏的可能性，大大提高了存储在电荷存储层内电荷的保持能力，避免了数据的遗失，增加了电荷存储寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 | ||
【主权项】：
1、一种存储器，包括：半导体基底；在半导体基底其内设有掺杂形成的源区和漏区以及在所述源区和漏区之间的沟道区；位于半导体基底上的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层上，且由多晶硅制成的电荷存储层，其特征在于：所述电荷存储层内设有Si1-xGex导电层。
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