[发明专利]系统级封装结构及封装方法有效
| 申请号： | 200910045978.9 | 申请日： | 2009-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN101783331A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 王津洲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/58;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种系统级封装结构及封装方法。其中系统级封装结构，包含引线框架，所述引线框架包括：管芯垫和位于管芯垫周围的引线，所述管芯垫内形成有电感器线圈，其中电感器线圈的末端与引线连接；所述系统级封装结构还包括：形成于管芯垫上的绝缘介质层，贯穿绝缘介质层与电感器始端导通的导电插塞，位于绝缘介质层上与导电插塞连接的焊盘，位于绝缘介质层上将焊盘与引线连接的金属层。本发明减少了导线间的电信号的串扰，提高了电感器的品质(Q)因子。 | ||
| 搜索关键词： | 系统 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种系统级封装结构，包含引线框架，所述引线框架包括：管芯垫和位于管芯垫周围的引线，其特征在于，所述管芯垫内形成有电感器线圈，其中电感器线圈的末端与引线连接；所述系统级封装结构还包括：形成于管芯垫上的绝缘介质层，贯穿绝缘介质层与电感器始端导通的导电插塞，位于绝缘介质层上与导电插塞连接的焊盘，位于绝缘介质层上将焊盘与引线连接的金属层。
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