[发明专利]能使LED的P-GaN层表面粗化的制作方法有效
| 申请号： | 200910046834.5 | 申请日： | 2009-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101494272A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 郝茂盛;周健华;张楠;陈诚;潘尧波 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种能使LED的P-GaN层表面粗化的制作方法，其首先在半导体衬底上依次生长出N-GaN层、量子阱层、P-GaN层、及非掺杂的粗化GaN层，然后采用ICP或离子干法刻蚀所述非掺杂的粗化GaN层以使所述非掺杂的粗化GaN层的粗化表面形状转移至所述P-GaN层，从而使所述P-GaN层表面粗化，相对于现有工艺，此法操作简单，且粗化效果更为理想。 | ||
| 搜索关键词： | led gan 表面 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种能使LED的P-GaN层表面粗化的制作方法，其特征在于包括步骤：1)在半导体衬底上依次生长出N-GaN层、量子阱层、P-GaN层、及非掺杂的粗化GaN层；2)采用ICP或离子干法刻蚀所述非掺杂的粗化GaN层以使所述非掺杂的粗化GaN层的粗化表面形状转移至所述P-GaN层，从而使所述P-GaN层表面粗化。
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