[发明专利]功率MOS晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 200910052543.7 | 申请日： | 2009-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101567320A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 刘宪周;克里斯蒂安·皮尔森 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/283;H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率MOS晶体管的制造方法，包括以下步骤：在硅衬底中形成漏极区及外延层；在所述外延层中形成沟槽；依次在所述硅衬底顶表面及所述沟槽中沉积第一及第二氧化层；去除所述硅衬底顶表面及所述沟槽侧壁上的氧化层，在所述沟槽底部形成较厚的底氧化层；在所述沟槽中生长栅氧化层；在所述沟槽中成长多晶硅，通过平坦化或回刻，形成栅极。利用该制造方法制造出的深沟槽功率MOS晶体管，在沟槽底部的栅氧化层的厚度比沟槽侧壁的栅氧化层厚，使功率MOS晶体管的栅极和漏极之间的寄生电容大大减小，从而改善了其开关速度和频率响应，进而使器件具有良好的频率特性，且该方法步骤简单，便于操作，适用于量产。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 mos 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种功率MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在硅衬底中形成漏极区及外延层；在所述外延层中形成沟槽；依次在所述硅衬底顶表面及所述沟槽中沉积第一及第二氧化层；去除所述硅衬底顶表面及所述沟槽侧壁上的氧化层，在所述沟槽底部形成较厚的底氧化层；在所述沟槽中生长栅氧化层；在所述沟槽中成长多晶硅，通过平坦化或回刻，形成栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
