[发明专利]硼酸钆锂晶体的晶体生长方法无效
| 申请号： | 200910054212.7 | 申请日： | 2009-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101597796A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 潘尚可;杨帆;任国浩;丁栋舟;陆晟;张卫东 | 申请（专利权）人： | 上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B15/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 201800*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硼酸钆锂晶体的晶体生长方法，涉及晶体生长领域。该方法为将晶体生长原料采用提拉法生长，其中，所述硼酸钆锂晶体的化学式为Li6CexGd1-xB3O9，x的取值范围是0＜x≤0.1；采用提拉法生长时，选用下半部分为弧形或者锥形底部的异型坩埚作为生长坩埚。本发明通过使用异型坩埚及后加热装置，克服了使用普通圆筒型坩埚的提拉法生长硼酸钆锂晶体易出现凹界面或难以长成大直径的缺点。用该方法生长出的晶体具有尺寸大、光学质量高等优点，可用于中子探测，还可以用来探测α、β、γ射线等。 | ||
| 搜索关键词： | 硼酸 晶体 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种硼酸钆锂晶体的晶体生长方法，为将晶体生长原料采用提拉法生长，其中，所述硼酸钆锂晶体的化学式为Li6CexGd1-xB3O9，x的取值范围是0＜x≤0.1；采用提拉法生长时，选用上半部分为圆柱体形，下半部分为弧形或者锥形底部的异型坩埚作为生长坩埚。
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