[发明专利]深沟槽超级PN结结构及其形成方法无效
| 申请号： | 200910054260.6 | 申请日： | 2009-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN101937927A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 龚大卫;马清杰;邵凯 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 20023*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提出一种深沟槽超级PN结结构，包括：沉积在衬底上的单一厚外延层；形成在单一厚外延层中的深沟槽，深沟槽的特征尺寸为0.4微米-6微米，深度为10微米-80微米，角度为80度-90度；形成在深沟槽中的沿深沟槽方向的超级PN结，超级PN结为重掺杂的多晶硅；填充在深沟槽中的氧化层。根据本发明的实施例，该结构不但可以有效地提高功率MOS管的击穿电压，大幅降低功率MOS管的导通电阻，并且工艺简单，工艺可控性好。该结构避免了传统Super Junction工艺中的多次光刻，离子注入，推进以及外延生长，有效降低了制造成本，并且克服了传统Super Junction接合面不均匀的缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 深沟 超级 pn 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种深沟槽超级PN结结构，其特征在于，包括：沉积在衬底上的单一厚外延层；形成在所述单一厚外延层中的深沟槽，所述深沟槽的特征尺寸为0.4微米‑6微米，深度为10微米‑80微米，角度为80度‑90度；形成在所述深沟槽中的沿深沟槽方向的超级PN结，所述超级PN结为重掺杂的多晶硅；填充在所述深沟槽中的氧化层。
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