[发明专利]高压ESD保护电路无效
| 申请号： | 200910055051.3 | 申请日： | 2009-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN101958537A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 肖国庆;李茂登 | 申请（专利权）人： | 上海沙丘微电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/00 | 分类号： | H02H9/00 |
| 代理公司： | 上海东方易知识产权事务所 31121 | 代理人： | 沈原 |
| 地址： | 201108 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种高压ESD保护电路，包括电源端口、NMOS放电管、ESD检测电阻和下拉电阻，NMOS放电管的漏极连接电源端口、ESD检测电阻，其特征在于：NMOS放电管的漏极和栅极分别连接一个NMOS上拉管的漏极和源极，NMOS上拉管的栅极连接所述下拉电阻后接地。与传统的ESD保护电路相比，本发明引入NMOS管作为上拉管替代检测电容Ca，利用NMOS上拉管本身的寄生电容Cgd和Cgs导通NMOS放电管，实现ESD保护的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 esd 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种高压ESD保护电路，包括电源端口、NMOS放电管、ESD检测电阻和下拉电阻，NMOS放电管的漏极连接电源端口、ESD检测电阻，其特征在于：一个NMOS上拉管的漏极和源极分别连接所述NMOS放电管的漏极和栅极，所述NMOS上拉管的栅极连接所述下拉电阻后接地。
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