[发明专利]一种肖特基二极管及其制备方法

摘要

一种肖特基二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。本发明提供的肖特基二极管包括肖特基金属电极和第二导电类型深阱区扩散形成的第二导电类型轻掺杂区，二者形成金属-半导体接触的肖特基结。该发明的肖特基二极管相比传统技术，结构更为简单，能有效降低器件的正向电压和正向阻抗，且具有将肖特基二极管结构与半导体衬底隔离的第二导电类型深阱区，降低了寄生电容、寄生电阻等寄生效应对器件性能的影响；同时，其轻掺杂阱区采用深离子注入扩散的方法与深阱区同步实现，轻掺杂阱区厚度较小且越靠近半导体衬底表面掺杂浓度越低，制备简单，与常规方法比较，不需要任何多余的步骤，不增加肖特基二极管的工艺成本。

主权项

1.一种肖特基二极管，包括：第一导电类型的半导体衬底；形成于所述半导体衬底上表层的第二导电类型第一掺杂区；形成于所述半导体衬底表面、并覆盖至少一部分所述第一掺杂区的、用于形成肖特基结的金属电极；以及用于引出半导体衬底电极的第二导电类型第二掺杂区；其特征在于，还包括：用于将肖特基结与所述半导体衬底隔离的、相邻形成于所述第一掺杂区大致正下方的第二导电类型第三掺杂区，且所述第三掺杂区的掺杂浓度大于所述第一掺杂区的掺杂浓度，并小于所述第二掺杂区的掺杂浓度。