[发明专利]薄膜晶体光传感器、制作氟硅氧碳氢化合物介电层的方法

摘要

本发明公开一种薄膜晶体管光传感器与一种液晶显示面板乃利用分别运用氟硅氧碳氢化合物介电层与包括氟硅氧碳氢化合物的凸块结构，以分别形成一具低电阻电容负载的薄膜晶体管光传感器以及一具低介电系数凸块结构的液晶显示面板。此外，另公开一种制作氟硅氧碳氢化合物介电层的方法，其运用包含三甲基硅甲烷、四氟化碳、氩气以及氧气的气体进行薄膜沉积制程，以形成一具有低介电系数的氟硅氧碳氢化合物介电层。

主权项

一种薄膜晶体管光传感器，其特征在于，包括：一第一基板；一栅极电极，设置于该第一基板上；一栅极介电层，设置于该第一基板与该栅极电极上；一半导体层，对应于该栅极电极设置于该栅极介电层上；一源极电极与一漏极电极，设置于该半导体层与该栅极介电层上并分别对应设置于该栅极电极的两侧；一氟硅氧碳氢化合物介电层，设置于该半导体层、该源极电极与该漏极电极上；以及一透明保护层，设置于该氟硅氧碳氢化合物介电层上。