[发明专利]提高湿法刻蚀性能的方法有效
| 申请号： | 200910055897.7 | 申请日： | 2009-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN101625968A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 朱骏 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种提高湿法刻蚀性能的方法，包括以下步骤：对衬底进行HMDS疏水处理；在所述衬底上涂布抗反射图层；在所述抗反射图层上涂布一层光刻胶；进行曝光、显影和刻蚀处理，去除部分所述光刻胶和抗反射图层，使得待刻蚀衬底暴露在外；采用有机溶液去除剩余的光刻胶；以剩余的部分抗反射图层为掩蔽，对衬底进行湿法刻蚀处理。本发明去除了衬底表面的光刻胶，降低了图形的高宽比，只依靠抗反射图层作为湿法刻蚀掩蔽层，提高了湿法刻蚀的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 湿法 刻蚀 性能 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高湿法刻蚀性能的方法，其特征在于包括以下步骤：对衬底进行HMDS疏水处理；在所述衬底上涂布抗反射图层；在所述抗反射图层上涂布一层光刻胶；进行曝光、显影和刻蚀处理，去除部分所述光刻胶和抗反射图层，使得待刻蚀衬底暴露在外；采用有机溶液去除剩余的光刻胶；以剩余的部分抗反射图层为掩蔽，对衬底进行湿法刻蚀处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
