[发明专利]半导体NROM存储装置有效

专利信息
申请号: 200910056018.2 申请日: 2009-08-06
公开(公告)号: CN101989461A 公开(公告)日: 2011-03-23
发明(设计)人: 权彛振;柯罗特;董智刚;邱雷 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: G11C17/08 分类号: G11C17/08
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李丽
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种半导体NROM存储装置,包括:存储单元阵列,用于存储数据和指令,包括多个存储单元和设置在预定数目个存储单元之间的连接单元;寄存器,用于缓存接收的数据信息;操作单元,用于对所述存储单元阵列中的存储单元进行操作;控制单元,用于控制所述操作单元,按照预定的访问顺序并根据存储单元与所述连接单元的距离,对所述存储单元阵列的每个存储单元进行操作。本发明按照存储单元与连接单元的距离或者偏置电压,在每次对存储单元进行操作时,选择不同的存储单元作为初始单元,从而避免了以固定的存储单元作为初始单元导致其相较于其它存储单元更容易损坏,有利于保证存储装置的稳定性和寿命的延长。
搜索关键词: 半导体 nrom 存储 装置
【主权项】:
一种半导体NROM存储装置,其特征在于,包括:存储单元阵列,用于存储数据和指令,包括多个存储单元和设置在预定数目个存储单元之间的连接单元;寄存器,用于缓存接收的数据信息;操作单元,用于对所述存储单元阵列中的存储单元进行操作;控制单元,用于控制所述操作单元,按照预定的访问顺序并根据存储单元与所述连接单元的距离,对所述存储单元阵列的每个存储单元进行操作。
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