[发明专利]半导体器件的形成方法有效

专利信息
申请号: 200910056625.9 申请日: 2009-08-18
公开(公告)号: CN101996948A 公开(公告)日: 2011-03-30
发明(设计)人: 杜学东;韦磊;陈美丽 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/8234 分类号: H01L21/8234;H01L21/311;G03F7/42
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 20120*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种半导体器件的形成方法,包括:在半导体衬底上形成第一栅氧化层,所述半导体衬底分为高压MOS区和低压MOS区;在第一栅氧化层上形成光刻胶层,经过曝光显影工艺后,露出低压MOS区的第一栅氧化层;将半导体衬底放入刻蚀机台内,所述机台内包含缓冲氧化蚀刻剂槽和硫酸槽;以光刻胶层为掩膜,先将半导体衬底放入内,刻蚀去除低压MOS区的第一栅氧化层;将半导体衬底从缓冲氧化蚀刻剂槽内取出,放入硫酸槽内,刻蚀去除光刻胶层;将半导体衬底从刻蚀机台内取出后,在高压MOS区的第一栅氧化层上及低压MOS区的半导体衬底上形成第二栅氧化层。本发明节约了时间,提高了刻蚀效率,并能解决光刻胶残余无法清除的问题。
搜索关键词: 半导体器件 形成 方法
【主权项】:
一种半导体器件的形成方法,其特征在于,包括:在半导体衬底上形成第一栅氧化层,所述半导体衬底分为高压MOS区和低压MOS区;在第一栅氧化层上形成光刻胶层,经过曝光显影工艺后,露出低压MOS区的第一栅氧化层;将半导体衬底放入刻蚀机台内,所述机台内包含缓冲氧化蚀刻剂槽和硫酸槽;以光刻胶层为掩膜,先将半导体衬底放入内,刻蚀去除低压MOS区的第一栅氧化层;将半导体衬底从缓冲氧化蚀刻剂槽内取出,放入硫酸槽内,刻蚀去除光刻胶层;将半导体衬底从刻蚀机台内取出后,在高压MOS区的第一栅氧化层上及低压MOS区的半导体衬底上形成第二栅氧化层;分别在高压MOS区和低压MOS区形成栅极及源/漏极。
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