[发明专利]化学气相沉积设备的安装方法及化学气相沉积设备有效
申请号: | 200910056731.7 | 申请日: | 2009-08-20 |
公开(公告)号: | CN101994100A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
发明(设计)人: | 沈建飞;徐皓;潘雯海;胡小栋 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李丽 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种化学气相沉积设备的安装方法及化学气相沉积设备,其安装方法包括步骤:将晶舟安装在基座上,且在所述晶舟一侧设置有投影板;在所述投影板设置参照物;第一光束照射所述晶舟,使所述晶舟投影到所述投影板上形成晶舟投影;沿所述基座的中心轴旋转所述基座,且上述晶舟和所述基座一起旋转,测量在旋转过程中所述晶舟投影与所述参照物之间的距离,当旋转过程中所述距离发生变化时,则调整所述晶舟在所述基座上的位置,从而使得安装时晶舟能位于反应腔室中心。 | ||
搜索关键词: | 化学 沉积 设备 安装 方法 | ||
【主权项】:
一种化学气相沉积设备的安装方法,其特征在于,包括步骤:将晶舟安装在基座上,且在所述晶舟一侧设置有投影板;在所述投影板上设置参照物;第一光束照射所述晶舟,使所述晶舟投影到所述投影板上形成晶舟投影;沿所述基座的中心轴旋转所述基座,且上述晶舟和所述基座一起旋转,测量在旋转过程中所述晶舟投影与所述参照物之间的距离,当旋转过程中所述距离发生变化时,则调整所述晶舟在所述基座上的位置。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的