[发明专利]可消除突波与静电的覆晶式发光二极管及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200910057026.9 申请日: 2009-04-07
公开(公告)号: CN101859816A 公开(公告)日: 2010-10-13
发明(设计)人: 黄国钦;潘锡明;杨志伟;简奉任 申请(专利权)人: 山东璨圆光电科技有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 陈平
地址: 264500*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种可消除突波与静电的覆晶式发光二极管及其制造方法,其一覆晶式发光二极管封装结构包含有一第一基板、一第一导电组件、一第二导电组件、一抗突波保护层与一发光二极管芯片;制造方法中,首先形成第一基板,接着形成第一导电组件与第二导电组件于第一基板上,然后形成抗突波保护层于第一基板上,且覆盖部分的第一导电组件与第二导电组件,最后利用第一导电组件与第二导电组件接合发光二极管芯片。当发光二极管芯片的偏压电压超过门坎电压时,将让第一导电组件、抗突波保护层与第二导电组件产生电流旁路,以消除突波与静电。
搜索关键词: 消除 静电 覆晶式 发光二极管 及其 制造 方法
【主权项】:
一种可消除突波与静电的覆晶式发光二极管,其特征在于:包含有:一第一基板;一第一导电组件,设置于该第一基板之上;一第二导电组件,设置于该第一基板之上;一抗突波保护层,设置于部分该第一基板之上,且连接该第一导电元件或该第二导电组件;及一发光二极管芯片,设置一第一接合面与一第二接合面,且该第一接合面连接该第一导电组件,以及该第二接合面连接该第二导电组件;其中,当该发光二极管芯片的偏压电压超过门坎电压,则促使该第一导电组件、该第二导电组件与该抗突波保护层形成电性连接以消除突波与静电。
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