[发明专利]位线预处理存储装置及方法有效
| 申请号： | 200910057473.4 | 申请日： | 2009-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101930795A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 杨俊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C7/12 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种位线预处理存储装置及方法；包括至少两条位线，以及与位线相连接的存储单元，一个P型MOS晶体管和一个N型MOS晶体管；所述的P型MOS晶体管的源极和漏极分别与两条位线连接；所述的N型MOS晶体管的源极和漏极分别与两条位线连接；所述的P型MOS晶体管和N型MOS晶体管形成一个传输门将两条位线连接起来平衡位线间的电位；位线在非读写状态下浮空。本发明可以有效降低整个静态随机存储器静态的漏电，有效降低整个静态随机存储器总体动态电流，大幅减少存储器的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 预处理 存储 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种位线预处理存储装置；包括至少两条位线，以及与位线相连接的存储单元，其特征在于，还包括：一个P型MOS晶体管和一个N型MOS晶体管；所述的P型MOS晶体管的源极和漏极分别与两条位线连接；所述的N型MOS晶体管的源极和漏极分别与两条位线连接；所述的P型MOS晶体管和N型MOS晶体管形成一个传输门将两条位线连接起来平衡位线间的电位；位线在非读写状态下浮空。
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