[发明专利]具有双层堆叠自对准栅结构的存储器的制造方法有效
| 申请号： | 200910057526.2 | 申请日： | 2009-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101937876A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 王雷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239;H01L21/283;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有双层堆叠自对准栅结构的存储器的制造方法，包括如下步骤：(1)在硅衬底上形成栅极氧化层和隧穿氧化层，在该栅极氧化层和隧穿氧化层上依次沉积下层多晶硅、中间绝缘层；(2)光刻，刻蚀中间绝缘层直至下层多晶硅停止；(3)全面沉积上层多晶硅；(4)光刻，刻蚀多晶硅直至栅极氧化层停止，形成具有上层多晶硅、中间绝缘层和下层多晶硅的双层多晶硅栅结构；(5)后续工艺，包括去除残留的栅极氧化层，最终形成具有双层堆叠自对准栅结构的存储器。该方法能降低PID引起的产品失效，提高整体成品率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 双层 堆叠 对准 结构 存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有双层堆叠自对准栅结构的存储器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在硅衬底上形成栅极氧化层和隧穿氧化层，在该栅极氧化层和隧穿氧化层上依次沉积下层多晶硅、中间绝缘层；(2)光刻，刻蚀中间绝缘层直至下层多晶硅停止；(3)全面沉积上层多晶硅；(4)光刻，刻蚀多晶硅直至栅极氧化层停止，形成具有上层多晶硅、中间绝缘层和下层多晶硅的双层多晶硅栅结构；(5)后续工艺，包括去除残留的栅极氧化层、去除光刻胶，最终形成具有双层堆叠自对准栅结构的存储器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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