[发明专利]用于校准光刻工具的装置及方法有效
| 申请号： | 200910057967.2 | 申请日： | 2009-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102033423A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 陈群琦;林世鸿;朱伟;陈钦裕 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/16;H01L21/00;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于校准光刻工具的装置及方法。校准晶圆可载有一个或多个不同的标记类型，以利于光刻工艺的检查。第一标记类型可位于晶圆的外围部分上，以指示边缘球状物去除(EBR)区域的期望边界。第二标记类型可位于晶圆的外围部分上，以指示晶圆边缘暴露区域(WEE)的期望边界。第三标记类型可指示晶圆的期望载有晶圆标识标记的部分的边界。第四标记类型可位于晶圆的中心，可使得将液体抗蚀剂材料准确并均匀地施加于晶圆。在对光刻工艺的各个阶段的准确度进行快速简便的评估的方法中可采用校准晶圆。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 校准 光刻 工具 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种用于校准光刻工具的方法，所述方法包括：提供载有标记的校准晶圆；在所述校准晶圆上形成光致抗蚀剂材料以覆盖所述标记；通过曝光来去除所述光致抗蚀剂材料的一部分；以及检查所述校准晶圆，以确定所述标记的部分是否已通过去除所述光致抗蚀剂而被暴露。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910057967.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：针对穿过腔体腔壁的转动主轴的密封结构
- 下一篇：自补偿耐磨密封条
