[发明专利]一种硅通孔互连结构的制备方法有效
| 申请号： | 200910060749.4 | 申请日： | 2009-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN101483149A | 公开（公告）日： | 2009-07-15 |
| 发明（设计）人： | 刘胜;高鸣源;胡程志;吴一明 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅通孔互连结构的制备方法，步骤为①将键合硅器件晶圆键合于硅晶圆基板上；②减薄硅器件晶圆，再刻蚀硅器件晶圆，形成盲孔；③在硅器件晶圆上涂敷一层图案化介电材料(如聚对二甲苯)；④刻蚀图案化介电质层，刻蚀掉盲孔底部的介电材料，保留盲孔侧壁；在基板上形成介电质孔，使介电质孔和盲孔同轴；⑤在介电质孔上沉积一层导电材料，作为导电层，形成导电孔；⑥在导电层上再沉积一层图案化介电质层；⑦移除基板，在导电层上形成焊料微凸点。本发明简化了工艺步骤，减少工艺时间并降低了费用；降低了寄生电容，提升了互连电性能，可适用于RF的三维互连结构；缓解了导电材料和硅之间的热失配，在很大程度上减少了热机械应力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅通孔 互连 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种硅通孔互连结构的制备方法，其步骤包括：(1)将键合硅器件晶圆键合于硅晶圆基板上；(2)减薄硅器件晶圆，再刻蚀硅器件晶圆，形成盲孔，盲孔的深宽比为5∶1—20∶1；刻蚀在到达内部接触时停止；(3)在上述硅器件晶圆上涂敷一层图案化介电材料；(4)刻蚀上述图案化介电质层，刻蚀掉盲孔底部的介电材料，保留盲孔侧壁；在硅晶圆基板上形成介电质孔，使介电质孔和盲孔同轴；(5)在介电质孔上沉积一层导电材料，作为导电层，形成导电孔；(6)在导电层上再沉积一层图案化介电质层；(7)移除硅晶圆基板，在导电层上形成焊料微凸点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
