[发明专利]一种高纯度、低放射性球形硅微粉及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高纯度、低放射性球形硅微粉，该硅微粉中SiO₂含量不低于99.90％，放射性元素U含量≤1×10^-9g/g，球形化率为90～100％，非晶率为99～100％。该硅微粉的制备方法是：用放射性元素U含量≤1×10^-9g/g的硅源制备纯度不低于99.90％且其中任一杂质离子含量均≤5×10^-6g/g的稳定硅溶胶；对硅溶胶进行浓缩，使其固含量为41～70％；将浓缩后的硅溶胶造粒，使其粒径为0.5～60μm；将造粒得到的氧化硅微粉于500～1100℃焙烧，然后在火焰燃烧器和球形化炉中进行球形化处理，冷却后分级、收集即可得到。本发明的球形硅微粉满足大规模集成电路对封装填料的要求，且本发明工艺简单、成本低，所需设备简单，适用于工业化生产。

主权项

1.一种高纯度、低放射性球形硅微粉，其特征在于：该硅微粉中SiO2含量不低于99.90％，放射性元素U含量≤1×10-9g/g，球形化率为90～100％，非晶率为99～100％。