[发明专利]钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锡异质p-n结及其制备方法无效
| 申请号： | 200910076299.8 | 申请日： | 2009-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN101459194A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 张铭;王宪谋;严辉;宋雪梅;王波;朱满康;侯育冬;王如志;汪浩 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L21/04;H01L21/363;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张 慧 |
| 地址： | 100124*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锡异质p-n结及其制备方法明属于材料制造领域。目前还没有镧锰氧化物与氧化锡复合的p-n结。本发明所提供的p-n结包括有单晶衬底、沉积在单晶衬底上的厚度为100-300nm的SnO2层和沉积在SnO2层上的厚度为100-300nm的LSMO层。本发明通过采用磁控溅射法依次在沉底上沉积SnO2层和LSMO层，制得钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锡异质p-n结。本发明所提供的p-n结具有优异的整流特性，且成本低廉，适合工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 结构 氧化物 氧化 锡异质 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锡异质p-n结，其特征在于，所述的p-n结包括有单晶衬底、沉积在单晶衬底上的SnO2层和沉积在SnO2层上的LSMO层；其中，所述的SnO2层的厚度为100-300nm；所述的LSMO层的厚度为100-300nm。
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