[发明专利]刻蚀方法有效
| 申请号： | 200910076643.3 | 申请日： | 2009-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN101777485A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 白志民 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 100016*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种刻蚀方法，包括：初刻蚀、主刻蚀和过刻蚀，所述初刻蚀采用氟基气体和氯基气体的混合气体形成等离子体。所述氟基气体包括CF4、CH2F2、CHF3中的一种或至少两种的组合，所述氯基气体包括Cl2、CH2Cl2、CH3Cl中的一种或至少两种的组合。本发明所述的刻蚀方法，在初刻蚀步骤中增加氯基气体如Cl2作为刻蚀气体，使得Dense区图案中线条线宽的缩小量比Iso区图案中线条线宽的缩小量更大，这一趋势与PR-loading效应导致的Dense区图案中线条线宽比Iso区更大刚好相反，从而最终补偿PR-loading效应对线宽均匀性的影响，进而在半导体晶片各处获得均匀的AEI线宽。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种刻蚀方法，包括：初刻蚀、主刻蚀和过刻蚀，其特征在于，所述初刻蚀采用氟基气体和氯基气体的混合气体形成等离子体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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