[发明专利]利用苯并环丁烯制作介质桥的方法有效
| 申请号： | 200910077671.7 | 申请日： | 2009-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN101800189A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 程伟;金智;苏永波;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/768;C07C13/44 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用苯并环丁烯制作介质桥的方法，包括以下步骤：在基片上涂布光刻胶，光刻桥面；蒸发金属，剥离后形成桥面；在基片上涂布光刻胶，光刻桥墩；蒸发金属，剥离后形成桥墩；在基片上涂布苯并环丁烯，并高温固化；利用干法刻蚀将多余的苯并环丁烯刻蚀掉，直至露出桥墩为止；在苯并环丁烯上涂布光刻胶，光刻桥墩引线；蒸发金属，剥离后形成桥墩引线。本发明制作的介质桥，采用苯并环丁烯作为介质，其桥面长度不像传统空气桥那样受到最大跨度的限制，解决了传统空气桥工艺中桥面容易发生断裂的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 丁烯 制作 介质 方法 | ||
【主权项】：
一种利用苯并环丁烯制作介质桥的方法，其特征在于，包括以下步骤：在基片上涂布光刻胶，光刻桥面；蒸发金属，剥离后形成桥面；在基片上涂布光刻胶，光刻桥墩；蒸发金属，剥离后形成桥墩；在基片上涂布苯并环丁烯，并高温固化；利用干法刻蚀将多余的苯并环丁烯刻蚀掉，直至露出桥墩为止；在苯并环丁烯上涂布光刻胶，光刻桥墩引线；蒸发金属，剥离后形成桥墩引线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
