[发明专利]一种非挥发性存储器以及其制造、编程和读取方法

摘要

本发明提供了一种浮栅结构的非挥发性存储器及其制造方法、编程读取方法，所述非挥发性存储器中的存储单元包括：源极、漏极和浮栅；所述漏极包括用于在漏极内部形成PN结的反型离子区；所述源极与位线相连，所述漏极的反型离子区与字线相连。本发明既不需要额外形成控制栅，也不需要额外形成选通管，即实际上本发明的存储单元只等效为一晶体管和一个二极管的结构，其面积较小，符合现代半导体器件的发展需求。并且，存储单元能够完全基于逻辑工艺实现，不需要增加额外的特殊工艺，不会增加工艺工序的复杂度。

主权项

一种浮栅结构的非挥发性存储器，其特征在于，其中的存储单元包括：源极、漏极和浮栅；所述漏极包括用于在漏极内部形成PN结的反型离子区；所述源极与位线相连，所述漏极的反型离子区与字线相连。