[发明专利]降低连接孔接触电阻的方法无效
| 申请号： | 200910083466.1 | 申请日： | 2009-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN101882597A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 聂佳相 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低连接孔接触电阻的方法，该方法包括在绝缘层和金属互连线之间制作阻挡膜，所述阻挡膜为钽Ta和氮化钽TaN的叠层结构，所述制作阻挡膜的具体方法为：在绝缘层的沟槽和连接孔的底部和侧壁上形成TaN层(201)；在所述TaN层(201)上形成Ta层(202)；依次刻蚀连接孔底部上的Ta层(202)和TaN层(201)，形成开口，露出下层的铜互连线；在沟槽及连接孔内的Ta层和露出的下层的铜互连线表面，沉积TaN层(401)；在TaN层(401)的表面沉积Ta层(402)。采用该方法使连接孔的接触电阻比较低，从而有效降低了整个电路的RC延迟，提高了电路的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 连接 接触 电阻 方法 | ||
【主权项】：
一种降低连接孔接触电阻的方法，该方法包括在绝缘层和金属互连线之间制作阻挡膜，所述阻挡膜为钽Ta和氮化钽TaN的叠层结构，其特征在于，所述制作阻挡膜的具体方法为：在绝缘层的沟槽和连接孔的底部和侧壁上形成TaN层(201)；在所述TaN层(201)上形成Ta层(202)；依次刻蚀连接孔底部上的Ta层(202)和TaN层(201)，形成开口，露出下层的铜互连线；在沟槽及连接孔内的Ta层和露出的下层的铜互连线表面，沉积TaN层(401)；在TaN层(401)的表面沉积Ta层(402)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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