[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200910088291.3 | 申请日： | 2009-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN101957526A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 刘翔;谢振宇;陈旭 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 曲鹏 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极，半导体层的表面为经表面处理形成的欧姆接触层，源电极和漏电极分别通过欧姆接触层与半导体层连接。制造方法包括：形成包括像素电极、栅线和栅电极的图形；形成包括栅绝缘层和半导体层的图形，且半导体层的表面为经表面处理形成的欧姆接触层；形成包括数据线、源电极和漏电极的图形，源电极和漏电极分别通过欧姆接触层与半导体层连接。本发明避免了过刻半导体层和物理轰击半导体层表面的工艺，通过采用厚度较薄的半导体层，大幅度提高了TFT-LCD阵列基板的性能。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种TFT‑LCD阵列基板，包括栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成有像素电极和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极，其特征在于，所述半导体层的表面为经表面处理形成的欧姆接触层，所述源电极和漏电极分别通过所述欧姆接触层与半导体层连接。
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