[发明专利]一种独立栅控制的纳米线场效应晶体管

摘要

本发明公开一种独立栅控制的纳米线场效应晶体管。该晶体管是由内栅电极、外栅电极，内外栅介质层，沟道区和源区、漏区组成；其中，内栅电极位于整个器件结构的中心；由内向外内栅介质，沟道区，外栅介质和外栅电极同轴的全包围内层区域。内栅电极的引入可以使该纳米线器件工作于独立栅控的条件下，为低功耗电路设计提供一种选择方案，而且阈值电压受控制电极的调节灵敏度更大。当该器件工作于共栅条件下时，器件的电学性能优于常规纳米环栅器件和双栅器件。用10纳米的硅膜厚度，该独立栅控纳米线晶体管器件可以将栅长缩小到20纳米。

主权项

一种独立栅控制的纳米线场效应晶体管，是由外栅电极、内栅电极、源区、漏区、沟道区和内外栅介质层组成；其中，所述内栅电极位于所述纳米线场效应晶体管的中心；所述沟道区通过内栅介质层隔离，并同轴全包围所述内栅电极；所述外栅电极与所述沟道区通过外栅介质隔离，并同轴全包围所述沟道区；所述源区和漏区分别位于所述沟道区的两侧，并同轴全包围所述内栅介质区。