[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200910089751.4 | 申请日： | 2009-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN101963723A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 薛海林;林炳仟;徐宇博;李成 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 曲鹏 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括形成在基板上并限定了像素区域的第一栅线、第二栅线和数据线，像素区域内形成有像素电极、具有相同寄生电容的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，在第一栅线向第一薄膜晶体管提供开启电压时，第二栅线向第二薄膜晶体管提供第一电压，在第一栅线向第一薄膜晶体管提供关断电压时，第二栅线向第二薄膜晶体管提供第二电压，开启电压-关断电压＝第二电压-第一电压。本发明通过采用双栅线和双薄膜晶体管结构，且两个薄膜晶体管的寄生电容相同，使充电完成时两个寄生电容存储电荷的变化量大小相等，符号相反，从而像素电极上的电荷变化量为0，有效消除了像素电极的跳变电压。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种TFT‑LCD阵列基板，其特征在于，包括形成在基板上并限定了像素区域的第一栅线、第二栅线和数据线，所述像素区域内形成有像素电极、具有相同寄生电容的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，在所述第一栅线向第一薄膜晶体管提供开启电压时，所述第二栅线向第二薄膜晶体管提供第一电压，在所述第一栅线向第一薄膜晶体管提供关断电压时，所述第二栅线向第二薄膜晶体管提供第二电压，开启电压‑关断电压＝第二电压‑第一电压。
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