[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200910090518.8 | 申请日： | 2009-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN101995708A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 任祖兴 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 曲鹏 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括形成在基板上并限定了数个像素区域的栅线和数据线，每个像素区域内形成有像素电极、控制所述像素电极充电的第一薄膜晶体管和控制所述像素电极预充电的第二薄膜晶体管。本发明通过在每个像素区域内形成控制像素电极充电和预充电的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，当一个像素行的像素电极充电时，邻近的下一个像素行的像素电极实现预充电，因此降低了该像素行上像素电极本帧电压与下一帧电压之间的差距，有效消除了极性反转方式中存在的电压落差较大的缺陷，一方面有效缩短充放电时间，另一方面有效降低驱动功耗。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种TFT‑LCD阵列基板，包括形成在基板上的数条栅线和数条数据线，所述栅线和数据线定义并限定数个像素区域，其特征在于，每个像素区域内形成有像素电极、控制所述像素电极充电的第一薄膜晶体管和控制所述像素电极预充电的第二薄膜晶体管。
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