[发明专利]一种锗基肖特基晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 200910090737.6 | 申请日： | 2009-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN101635262A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 郭岳;安霞;黄如;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锗基肖特基晶体管的制备方法，属于超大规模集成电路(ULSI)工艺制造技术领域。该方法包括：首先在锗基衬底上制作MOS晶体管结构；淀积一金属薄膜；然后进行第一次热处理，快速热退火使金属薄膜层与位于其下方的锗层反应形成金属锗化物；去除未反应的金属薄膜层；在反应生成的金属锗化物层中掺入杂质；第二次热处理，退火使得上述掺入的杂质激活驱入；最后形成接触孔、金属连线。本发明通过在第一次退火形成镍锗化物以后，又进行杂质掺杂和激活驱入退火，可有效调控金属半导体接触的势垒高度，同时还可以改善锗化物表面形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锗基肖特基 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种锗基肖特基晶体管的制备方法，其包括以下步骤：1-1)在锗基衬底上制作MOS晶体管结构；1-2)溅射金属膜；1-3)进行第一次热处理，退火使上述金属薄膜层与位于其下方的锗层反应形成金属锗化物；1-4)去除未反应的金属膜；1-5)在反应生成的金属锗化物层中掺入杂质；1-6)第二次热处理，退火使得上述掺入的杂质激活驱入；1-7)形成接触孔、金属连线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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