[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200910092842.3 | 申请日： | 2009-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN102023424A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 张弥 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/82;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 曲鹏 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。TFT-LCD阵列基板包括栅线和数据线，栅线和数据线限定的像素区域内形成有像素电极和薄膜晶体管，栅线和数据线同层设置，像素电极形成在覆盖栅线和数据线的绝缘层上。薄膜晶体管的源电极和漏电极与栅线同层设置，掺杂半导体层形成在源电极和漏电极上，半导体层形成在掺杂半导体层上并覆盖源电极与漏电极之间的沟道，薄膜晶体管的栅电极形成在绝缘层上，栅电极通过绝缘层上开设的第三过孔与栅线连接。本发明存储电容两个电极板之间只有绝缘层，提高了单位面积存储电容，同时本发明采用先形成沟道再形成半导体层的技术方案，TFT沟道区域不存在过刻或刻蚀不完全的缺陷，提高了成品率。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种TFT‑LCD阵列基板，包括栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成有像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述栅线和数据线同层设置，所述像素电极形成在覆盖所述栅线和数据线的绝缘层上。
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