[发明专利]阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 200910093197.7 | 申请日: | 2009-09-25 |
公开(公告)号: | CN102034750A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 刘翔;谢振宇;陈旭 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L21/768;H01L27/02;H01L23/528;H01L29/24;G02F1/1362;G02F1/1368;G03F7/00 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种阵列基板及其制造方法。该方法包括:通过构图工艺,形成数据线和栅扫描线以及栅电极,且数据线或栅扫描线为断续设置;通过构图工艺,形成有源层、跨接过孔和源电极过孔;通过构图工艺,形成包括像素电极、源电极、漏电极和跨接线的图案,像素电极与漏电极的图案一体成型,源电极通过源电极过孔与数据线相连,跨接线通过跨接过孔连接断续且相邻的数据线或栅扫描线。本发明采用将数据线和栅扫描线同层形成的技术手段,能够实现最少以三次光刻工艺制备阵列基板,提高了生产效率,降低了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种阵列基板制造方法,其特征在于,包括:通过构图工艺,在衬底基板上形成包括横纵交叉的数据线和栅扫描线以及栅电极的图案,且所述数据线为断续设置从而与所述栅扫描线相互间隔,或所述栅扫描线为断续设置从而与所述数据线相互间隔;通过构图工艺,在形成上述图案的衬底基板上形成有源层的图案以及包括跨接过孔和源电极过孔的栅极绝缘层的图案,所述跨接过孔的位置对应断续且相邻的所述数据线或栅扫描线的位置,所述源电极过孔的位置对应所述数据线的位置;通过构图工艺,在形成上述图案的衬底基板上形成包括像素电极、源电极、漏电极和跨接线的图案,所述像素电极与所述漏电极的图案一体成型,所述源电极通过所述源电极过孔与所述数据线相连,所述跨接线通过所述跨接过孔连接断续且相邻的所述数据线或栅扫描线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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