[发明专利]伪静态存储器及其读操作与刷新操作的控制方法有效
| 申请号： | 200910093837.4 | 申请日： | 2009-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102024490A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 朱一明;刘永波 | 申请（专利权）人： | 北京芯技佳易微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;G11C11/4063 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 苏培华 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种伪静态存储器，包括：读操作缓冲器及读操作标志寄存器，写操作缓冲器及写操作标志寄存器，比较器，用于比较当前读操作所针对的存储器组地址，与当前写操作缓冲器中缓存的第二数据需写入的存储器组地址，并输出比较结果信号；控制电路，用于在当前时钟周期读操作与刷新操作冲突时，依据所述读状态信号、写状态信号及比较结果信号，控制进行以下操作：从读操作缓冲器或写操作缓冲器上执行读操作且并行执行刷新操作；或者，从指定的存储器组上执行读操作，并将所读取的数据缓存至读操作缓冲器。本发明可以提高伪SRAM的存取速度，进而提高它的工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 存储器 及其 操作 刷新 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种伪静态存储器，其特征在于，包括：读操作缓冲器及读操作标志寄存器，所述读操作标志寄存器用于存储标识所述读操作缓冲器中是否缓存有第一数据的读状态信号；写操作缓冲器及写操作标志寄存器，所述写操作缓冲器缓存需要写入指定存储器组的第二数据及对应的存储器组地址；所述写操作标志寄存器用于存储标识所述写操作缓冲器中是否缓存有新的第二数据的写状态信号；比较器，用于比较当前读操作所针对的存储器组地址，与当前写操作缓冲器中缓存的第二数据需写入的存储器组地址，并输出比较结果信号；控制电路，用于在当前时钟周期读操作与刷新操作冲突时，依据所述读状态信号、写状态信号及比较结果信号，控制进行以下操作：从读操作缓冲器或写操作缓冲器上执行读操作且并行执行刷新操作；或者，从指定的存储器组上执行读操作，并将所读取的数据缓存至读操作缓冲器。
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