[发明专利]一种含有掺杂元素的太阳能级硅晶体的制备方法无效
| 申请号： | 200910097894.X | 申请日： | 2009-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN101560693A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 李乔;马远 | 申请（专利权）人： | 浙江碧晶科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B27/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 312300浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含有掺杂元素的太阳能级硅晶体的制备方法，将含掺杂元素的硅熔液置入坩埚反应器内，采用定向凝固法或提拉法制备硅晶体，在硅晶体的制备过程中，将保护气体通入晶体生长炉内并流经硅熔液表面，所述的保护气体为：a)含氢原子的气体；或b)含氢原子的气体与惰性气体的混合物。本发明通过H对硅晶体内杂质及缺陷的钝化和吸杂等作用，使硅晶体的少子寿命明显提高，并提高了后续制造的电池片的光电转换效率。本发明还有以调节掺镓硅晶体的电阻率，使硅晶体的电阻率在晶体生长方向上更加均匀。本发明方法操作简单，易于工业化生产，并能明显提高产品的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含有 掺杂 元素 太阳 能级 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种含有掺杂元素的太阳能级硅晶体的制备方法，将含掺杂元素的硅熔液置入坩埚反应器内，采用定向凝固法或提拉法制备硅晶体，所述的掺杂元素为硼、磷、镓中的一种或多种，其特征在于：在硅晶体的制备过程中，将保护气体通入晶体生长炉内并流经硅熔液表面，所述的保护气体为：a)含氢原子的气体；或b)含氢原子的气体与惰性气体的混合物。
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