[发明专利]一种生长炉内晶体退火装置无效
| 申请号： | 200910111250.1 | 申请日： | 2009-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101831712A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 吴少凡;林文雄 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种生长炉内晶体退火装置。通过测量2个双铂铑热电偶温度，调节缠绕在内外层保温罩上的热铬铝高温加热丝的加热功率，提供一个加热源，在上保温罩内部形成一个温度梯度相对小的退火空间，使得晶体头部和尾部的温度梯度较小，从而起到了降低晶体内部热应力的效果。采用本发明的方法可以生长出低内应力的高温晶体，晶体生长退火完毕后可以直接进行定向和切割，制备成为各种规格的晶体元器件，不需要炉外的长时间退火，不但大大降低了晶体的内部应力，减少内部缺陷，同时可以大大提高效率，且装置结构简单，制作成本低，适合批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 晶体 退火 装置 | ||
【主权项】：
一种生长炉内晶体退火装置，其特征在于：通过测量2个双铂铑热电偶温度，调节缠绕在内外层保温罩上的热铬铝高温加热丝的加热功率，提供一个加热源，在上保温罩内部形成一个温度梯度相对小的退火空间，使得晶体头部和尾部的温度梯度较小，从而起到了降低晶体内部热应力的效果。
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