[发明专利]一种采用液态滤网提纯多晶硅的方法无效

专利信息
申请号: 200910111525.1 申请日: 2009-04-17
公开(公告)号: CN101760779A 公开(公告)日: 2010-06-30
发明(设计)人: 郑智雄;张伟娜;南毅;马殿军;程香;赵志跃;王致绪;戴文伟 申请(专利权)人: 南安市三晶阳光电力有限公司
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B28/08
代理公司: 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 代理人: 张松亭
地址: 362000 中国福*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 一种采用液态滤网提纯多晶硅的方法,属于冶金提纯领域。本发明的方法是在硅定向凝固提纯过程中加入一定量熔点低于硅熔点,且密度大于硅密度的金属元素或合金或金属混合物,在硅铸锭冷却过程中合金形成液态滤网,而硅中各种杂质随滤网由下而上过滤到铸锭表面。本发明的方法可以有效降低硅中杂质含量,特别是B杂质含量,可以将B含量由原来的2-4ppmwt降到0.5-1ppmwt。采用本发明的方法,可将4-5N多晶硅有效提纯至6N以上。
搜索关键词: 一种 采用 液态 滤网 提纯 多晶 方法
【主权项】:
一种采用液态滤网提纯多晶硅的方法,其步骤为:步骤1:将4-5N多晶硅重量份为70-85,滤网材料重量份为15-30;放入石英坩埚中步骤2:炉内抽真空,充入惰性气体,停扩散泵使炉内保持微正压;步骤3:开控制电源,加热器开始加热,直至硅和滤网材料的混合物全部熔化,按照比例不同,熔化温度为1100℃-1400℃,保温至少2h;步骤4:开启温度控制,使坩埚中的硅以0.2℃-5℃/h逐步冷却结晶;温度冷却至900℃后快速降温,降温速度为10-20℃/h;步骤5:硅结晶过程结束后,降温,将硅铸锭取出,切除上表面和四周的滤网材料及杂质。
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