[发明专利]真空感应熔炼去除硅中磷杂质的方法

摘要

真空感应熔炼去除硅中磷杂质的方法，涉及一种硅提纯方法。提供一种真空感应熔炼去除硅中磷杂质的方法。将多晶硅放入坩埚中，抽真空，预热后关闭粗抽阀，开启扩散泵阀门抽真空，接通中频感应加热电源，坩埚开始感应生热，对坩埚内的硅原料进行低温预热，当温度上升到600℃时，硅自身感应生热；增加中频加热功率为50～200kW，当温度达到1415℃以上时，硅开始熔化；熔化后，调节中频加热功率，使硅液温度控制在1550～1850℃；待温度稳定后，将真空度控制在1.2×10^-2～1.0×10^-1Pa；开始计时，保温时间为45～120min；在水冷铜盘中通入循环水，然后将熔炼完成的硅液浇注入模具中，快速凝固，即完成。

主权项

1.真空感应熔炼去除硅中磷杂质的方法，其特征在于包括以下步骤：1)将多晶硅放入石墨坩埚中，关闭真空室，打开机械旋片泵进行抽真空，开启油扩散泵的电源进行预热；2)预热完成后关闭粗抽阀，开启扩散泵阀门抽真空，同时接通中频感应加热电源，感应线圈内通以交流电，石墨坩埚开始感应生热，对坩埚内的硅原料进行低温预热，当温度上升到600℃时，由于硅的电阻率急剧下降，导电性增强，硅自身感应生热；3)增加中频加热功率为50～200kW，当温度达到1415℃以上时，硅开始熔化；4)待硅完全熔化后，调节中频加热功率，使硅液温度控制在1550～1850℃；5)待温度稳定后，将真空度控制在1.2×10-2～1.0×10-1Pa；6)开始计时，保温时间为45～120min；7)在水冷铜盘中通入循环水，然后将熔炼完成的硅液浇注入模具中，进行快速凝固，即完成去除硅中磷杂质。