[发明专利]太阳能级多晶硅提纯装置与提纯方法无效

专利信息
申请号: 200910112690.9 申请日: 2009-10-22
公开(公告)号: CN101698481A 公开(公告)日: 2010-04-28
发明(设计)人: 罗学涛;郑淞生;李锦堂;蔡靖;陈文辉;龚惟阳;沈晓杰;陈朝 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037;C30B29/06
代理公司: 厦门南强之路专利事务所 35200 代理人: 马应森
地址: 361005 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: 太阳能级多晶硅提纯装置与提纯方法,涉及一种多晶硅的提纯方法。提供一种太阳能级多晶硅提纯装置与提纯方法。提纯装置设有主体保温层、感应加热线圈、石墨加热套筒、石墨固定盘、下层保温层、定向升降装置、循环水进出水口、石墨底盘、坩埚、SiN涂层和热电偶测温装置。将多晶硅和铜料放入坩埚中,接通电源使铜和多晶硅融化形成硅铜合金熔体,测定坩埚内竖直方向上各点温度,调节感应加热功率控制器,使坩埚内的合金熔体保持一个温度梯度,从坩埚中部到底部,温度从高到低;启动定向升降装置,带动坩埚连同石墨底盘下拉产生定向凝固;合金熔体凝固后切断电源,冷却后取出合金硅锭,切除上部,剩余部分即为太阳能级多晶硅。
搜索关键词: 太阳 能级 多晶 提纯 装置 方法
【主权项】:
太阳能级多晶硅提纯装置,其特征在于设有主体保温层、感应加热线圈、石墨加热套筒、石墨固定盘、下层保温层、定向升降装置、循环水进水口、循环水出水口、石墨底盘、坩埚、SiN涂层和热电偶测温装置。感应加热线圈设于主体保温层的外侧,石墨固定盘设于主体保温层的内腔底部,石墨加热套筒设于石墨固定盘上,下层保温层设于主体保温层的下方并与主体保温层连成一体,定向升降装置设于下层保温层内腔,定向升降装置内设有循环水进水口和循环水出水口,石墨底盘设于石墨加热套筒和石墨固定盘的底部,坩埚设于石墨加热套筒内,坩埚内壁涂有SiN涂层,热电偶测温装置设于石英坩埚内。
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