[发明专利]半导体激光器的制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体激光器的制造方法。通过本发明，能够得到确保可靠性的高效率的半导体激光器的制造方法。在GaAS衬底(10)(半导体衬底)上依次层叠n型包层(12)(第一导电型半导体层)、活性层(14)、p型包层(16)(第二导电型半导体层)。在p型包层(16)中形成脊部(20)。通过成膜温度600℃前后的热CVD法在p型包层(16)上形成SiN膜(22)(第一绝缘膜)。在SiN膜(22)上，通过成膜温度300℃前后的等离子体CVD法，形成SiN膜(24)(第二绝缘膜)。在SiN膜(24)上形成电极(26)。

主权项

1.一种半导体激光器的制造方法，其特征在于，具备：在半导体衬底上依次层叠第一导电型半导体层、活性层、第二导电型半导体层的工序；在所述第二导电型半导体层中形成脊部的工序；在所述第二导电型半导体层上形成第一绝缘膜的工序；在所述第一绝缘膜上以比所述第一绝缘膜的成膜温度低的成膜温度形成第二绝缘膜的工序；以及在所述第二绝缘膜上形成电极的工序。