[发明专利]电光装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200910118224.1 申请日: 2009-02-25
公开(公告)号: CN101520582A 公开(公告)日: 2009-09-02
发明(设计)人: 茂筑宽士 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/133;H01L27/12;H01L21/84
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 陈海红;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种电光装置及其制造方法。该电光装置,至少具备:基板(10)、形成于基板上的具有预定宽度的第1遮光膜(73)、形成于第1遮光膜(73)上的第1层间绝缘膜(41)、形成于第1层间绝缘膜(41)上的晶体管(30)、形成于晶体管(30)上的第2层间绝缘膜(42)、和形成于第2层间绝缘膜(42)上的第2遮光膜(30),其特征为:晶体管(30)的半导体层(1),以从基板(10)侧由第1遮光膜(73)覆盖的方式设置,并且以从与基板(10)相反侧由第2遮光膜(70)覆盖的方式设置;第2遮光膜(70),形成得比第1遮光膜(73)宽;第1层间绝缘膜的膜厚最薄的部分,俯视存在于第1遮光膜的端部与第2遮光膜的端部之间。
搜索关键词: 电光 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1. 一种电光装置,至少具备:基板、形成于所述基板上的具有预定宽度的第1遮光膜、形成于所述第1遮光膜上的第1层间绝缘膜、形成于所述第1层间绝缘膜上的晶体管、形成于所述晶体管上的第2层间绝缘膜、和形成于所述第2层间绝缘膜上的第2遮光膜,该电光装置的特征在于,上述晶体管的半导体层,以从上述基板侧由上述第1遮光膜覆盖的方式设置,并且以从与上述基板相反侧由上述第2遮光膜覆盖的方式设置;所述第2遮光膜,形成得比所述第1遮光膜宽;所述第1层间绝缘膜的膜厚最薄的部分,俯视存在于所述第1遮光膜的端部与所述第2遮光膜的端部之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社,未经精工爱普生株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910118224.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top