[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910118431.7 | 申请日： | 2009-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101552292A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 理崎智光 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 柯广华;王丹昕 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的名称为“半导体器件及其制造方法”。所提供的是一种半导体器件，半导体衬底(1)上形成的阱区(2)包括多个槽区(12)，以及源电极(10)与槽区(12)之间的衬底表面上形成的源区(6)连接。与源区(6)相邻地形成高浓度区(11)，它连同源区(6)一起与源电极(10)对接接触，由此固定衬底电位。漏区(5)在槽区(12)的底部形成，其电位通过内埋于槽区(12)的漏电极(9)引向衬底表面。将任意电压施加到栅电极(4a，4b)和漏电极(9)，由此载流子从源区(6)流动到漏区(5)，并且半导体器件处于导通状态。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一导电类型阱区，以预定深度设置在半导体衬底的表面上；多个槽区，以比所述第一导电类型阱区的预定深度更小的深度设置；栅电极，经由栅绝缘膜设置在所述多个槽区的每个的侧表面上，并且使其与所述栅绝缘膜接触；第二导电类型漏区，设置在所述多个槽区的每个的底部中；第二导电类型源区，设置在所述多个槽区之间形成的区中，并且沿所述栅绝缘膜设置在所述半导体衬底的表面上；以及第一导电类型高浓度区，设置在所述多个槽区之间形成的区中，并且设置在所述半导体衬底的表面上，以便使其与所述第二导电类型源区接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工电子有限公司，未经精工电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910118431.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：汽车前照灯调光系统的旋转执行装置
- 下一篇：一种汽车挡风玻璃罩
- 同类专利
- 专利分类
