[发明专利]半导体激光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910118503.8 | 申请日： | 2009-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101515703A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 八木哲哉 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 何欣亭;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及通过简易的方法来降低半导体激光器(谐振器)与镀膜之间的界面的界面能级的半导体激光器件及其制造方法，其目的在于提供可抑制起因于半导体激光器的光输出功率的瞬时光学损伤(COD)的半导体激光器件及其制造方法。其特征在于，在半导体激光器的切开面上形成由锂膜或铍膜构成的悬空键终结膜，并在该悬空键终结膜上形成镀膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器件，其特征在于，在半导体激光器的切开面上形成由锂膜或铍膜构成的悬空键终结膜，在所述悬空键终结膜上形成镀膜。
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