[发明专利]用于研磨半导体晶片背面的粘合片以及使用其研磨半导体晶片背面的方法有效
| 申请号： | 200910118648.8 | 申请日： | 2009-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101518887A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 川岛教孔;浅井文辉 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B29/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 用于研磨半导体晶片背面的粘合片以及使用其研磨半导体晶片背面的方法。本发明提供用于研磨半导体晶片背面的粘合片，当研磨半导体晶片的背面时，将该粘合片粘合至半导体晶片的回路形成表面，其中，该粘合片以从回路形成表面侧依次包括粘合剂层、中间层的和基材，该中间层具有高于55至低于80的JIS-A硬度，和中间层的厚度为300至600μm。此外，本发明还提供用于研磨半导体晶片背面的方法，该方法包括以下步骤：将上述粘合片粘合至半导体晶片的回路形成表面，接着研磨半导体晶片背面。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 研磨 半导体 晶片 背面 粘合 以及 使用 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种用于研磨半导体晶片背面的粘合片，当研磨所述半导体晶片的背面时，将所述粘合片粘合至所述半导体晶片的回路形成表面，其中，所述粘合片从所述回路形成表面侧依次包括粘合剂层、中间层和基材，其中，所述中间层具有高于55至低于80的JIS-A硬度，和其中，所述中间层具有300至600μm的厚度。
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