[发明专利]一次离子束轰击溅射发射极预挂液态金属的方法无效
| 申请号： | 200910119547.2 | 申请日： | 2009-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101831620A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 梁汉东;李文攀;盛守祥;刘俐媛 | 申请（专利权）人： | 中国矿业大学(北京) |
| 主分类号： | C23C14/46 | 分类号： | C23C14/46;C23C14/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种一次离子束轰击溅射发射极预挂液态金属的方法，涉及一种高分辨率微区分析的液态金属离子发射极的挂金属工艺。提供一种较为简单，重复率高，安全地发射极挂金属预处理的方法。本方法是将作为发射极针尖的钨丝放置在高真空度的二次离子质谱(SIMS)中，通过一次离子枪在高压电场作用下获得液态金属离子轰击溅射到钨丝表面，彻底去除发射极钨丝表面的氧化层和污染物，同时使发射极表面粘附一层均匀连续的金属镀层。本方法不受发射极表面氧化层及污染的影响，使液态金属很好地浸润在作为发射极的钨丝上且形成连续光滑的薄膜，适用于各种液态金属离子源的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一次 离子束 轰击 溅射 发射极 液态 金属 方法 | ||
【主权项】：
一次离子束轰击溅射发射极预挂液态金属的方法，其特征在于，将作为发射极针尖的钨丝放置在高真空度的二次离子质谱(SIMS)中，通过一次离子枪在高压电场作用下获得液态金属离子轰击溅射到钨丝表面，彻底去除发射极钨丝表面的氧化层和污染物，同时使发射极表面粘附一层均匀连续的金属镀层。
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